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【2h】

Dedicated random telegraph noise characterization of Ni/HfO2-based RRAM devices

机译：基于Ni / HfO2的RRAM器件的专用随机电报噪声表征

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In this work, random telegraph noise (RTN) associated to discrete current fluctuations in the high resistive state of Ni/HfO2-based RRAM devices is investigated. For this purpose, a dedicated software tool has been developed to control the instrumentation and to perform successive and smart RTN measurements in the time domain. After data acquisition, the advanced Weighted Time Lag (WTL) method is employed to accurately identify the contribution of multiple electrically active defects in multilevel RTN signals. Finally, the internal dynamics of trapping and de-trapping processes through the defects close to the filamentary path and its dependence on voltage and time are analyzed.
机译：在这项工作中，研究了基于Ni / HfO2的RRAM器件在高电阻状态下与离散电流波动相关的随机电报噪声（RTN）。为此，已经开发了专用软件工具来控制仪器并在时域中执行连续的智能RTN测量。数据采集​​后，采用先进的加权延时（WTL）方法来准确识别多级RTN信号中多个电活性缺陷的影响。最后，分析了通过接近丝状路径的缺陷进行的俘获和去俘获过程的内部动力学及其对电压和时间的依赖性。

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